satın almak BYCHPS ile SIHG21N65EF-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±30V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AC |
Dizi: | - |
Id, VGS @ rds On (Max): | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 208W (Tc) |
paketleme: | Tube |
Paket / Kutu: | TO-247-3 |
Diğer isimler: | SiHG21N65EF-GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Through Hole |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 14 Weeks |
Üretici parti numarası: | SIHG21N65EF-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2322pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 106nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |