satın almak BYCHPS ile SIHG73N60E-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±30V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dizi: | - |
Id, VGS @ rds On (Max): | 39 mOhm @ 36A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 520W (Tc) |
paketleme: | Cut Tape (CT) |
Paket / Kutu: | TO-247-3 |
Diğer isimler: | SIHG73N60E-GE3CT SIHG73N60E-GE3CT-ND SIHG73N60EGE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Through Hole |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
Üretici parti numarası: | SIHG73N60E-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7700pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 362nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 73A (Tc) |
Email: | [email protected] |