satın almak BYCHPS ile SIHH21N65E-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SIHH21N65E-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SIHH21N65E-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16443 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIHH21N65E-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIHH21N65E-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIHH21N65E-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 170 mOhm @ 11A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 156W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerTDFN |
| Diğer isimler: | SIHH21N65E-T1-GE3TR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 20 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIHH21N65E-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2404pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 99nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 20.3A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SIHH21N65E-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8 | soruşturma |
|
SIHH28N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN | soruşturma |
 |
IPP230N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | soruşturma |
|
SIHH21N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8 | soruşturma |
 |
IRFC2604B | Infineon Technologies | MOSFET | soruşturma |
|
SIHH20N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8 | soruşturma |
 |
SIHH21N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK | soruşturma |
|
SIHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK | soruşturma |
|
SIHH21N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK | soruşturma |
|
SIHH24N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | soruşturma |
 |
IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | soruşturma |
|
SIHH24N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog