satın almak BYCHPS ile SIHP24N65E-GE3
Garanti ile satın alın
SIHP24N65E-GE3
- Parça Numarası:
- SIHP24N65E-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 17545 Pieces
- Veri Sayfası:
- 1.SIHP24N65E-GE3.pdf2.SIHP24N65E-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIHP24N65E-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIHP24N65E-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-220AB |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 250W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-220-3 |
| Diğer isimler: | SIHP24N65E-GE3CT SIHP24N65E-GE3CT-ND |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIHP24N65E-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2740pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 122nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SIHP24N65E-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB | soruşturma |
|
SIHP23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB | soruşturma |
|
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP25N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | soruşturma |
|
SIHP28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3 | soruşturma |
|
SIHP25N60EFL-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB | soruşturma |
|
SIHP25N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB | soruşturma |
|
SIHP25N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers