satın almak BYCHPS ile SIR888DP-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 3.25 mOhm @ 15A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 5W (Ta), 48W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 |
Diğer isimler: | SIR888DP-T1-GE3TR SIR888DPT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SIR888DP-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5065pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 25V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 25V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |