satın almak BYCHPS ile SIRB40DP-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SIRB40DP-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SIRB40DP-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19663 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIRB40DP-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIRB40DP-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIRB40DP-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 3.25 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç - Max: | 46.2W |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Diğer isimler: | SIRB40DP-T1-GE3DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIRB40DP-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4290pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Standard |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
| Açıklama: | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SIRB40DP-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
PMWD26UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP | soruşturma |
 |
SQ1912EH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 20V SC70-6 | soruşturma |
 |
AO4807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC | soruşturma |
 |
SI3981DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP | soruşturma |
 |
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON | soruşturma |
|
SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | soruşturma |
 |
STL20DN10F7 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 | soruşturma |
|
STL50DN6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT | soruşturma |
 |
GWM70-01P2 | IXYS | MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL | soruşturma |
 |
DMN53D0LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363 | soruşturma |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | soruşturma |
 |
APTM120A65FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers