satın almak BYCHPS ile SIS424DN-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 1212-8 |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 6.4 mOhm @ 19.6A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® 1212-8 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SIS424DN-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 35A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |