satın almak BYCHPS ile SIS902DN-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 186 mOhm @ 3A, 10V |
Güç - Max: | 15.4W |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Diğer isimler: | SIS902DN-T1-GE3TR SIS902DNT1GE3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici parti numarası: | SIS902DN-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 38V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
FET Özelliği: | Standard |
Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 75V |
Açıklama: | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4A |
Email: | [email protected] |