satın almak BYCHPS ile SISA72DN-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | +20V, -16V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 1212-8 |
Dizi: | TrenchFET® Gen IV |
Id, VGS @ rds On (Max): | 3.5 mOhm @ 10A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 52W (Tc) |
paketleme: | Original-Reel® |
Paket / Kutu: | PowerPAK® 1212-8 |
Diğer isimler: | SISA72DN-T1-GE3DKR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
Üretici parti numarası: | SISA72DN-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 40V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |