SISS40DN-T1-GE3
SISS40DN-T1-GE3
Parça Numarası:
SISS40DN-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
16480 Pieces
Veri Sayfası:
SISS40DN-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SISS40DN-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SISS40DN-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SISS40DN-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Dizi:ThunderFET®
Id, VGS @ rds On (Max):21 mOhm @ 10A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-PowerVDFN
Diğer isimler:SISS40DN-T1-GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SISS40DN-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:845pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:24nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 100V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):6V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):100V
Açıklama:MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):36.5A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar