satın almak BYCHPS ile SMMA511DJ-T1-GE3
Garanti ile satın alın
SMMA511DJ-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SMMA511DJ-T1-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16036 Pieces
- Veri Sayfası:
- SMMA511DJ-T1-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SMMA511DJ-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SMMA511DJ-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Güç - Max: | 6.5W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | SMMA511DJ-T1-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 12nC @ 8V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 12V |
| Açıklama: | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6L |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
SMMA511DJ-T1-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC | soruşturma |
 |
FDC6506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6 | soruşturma |
 |
APTM50DHM35G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | soruşturma |
 |
SP8M2FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC | soruşturma |
 |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC | soruşturma |
 |
SI3993CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP | soruşturma |
 |
FDG6302P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6 | soruşturma |
 |
MP6K13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A MPT6 | soruşturma |
 |
CSD75205W1015 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA | soruşturma |
 |
NTLUD3A260PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | soruşturma |
 |
QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog