satın almak BYCHPS ile SPI11N60C3XKSA1
Garanti ile satın alın
SPI11N60C3XKSA1
- Parça Numarası:
- SPI11N60C3XKSA1
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13652 Pieces
- Veri Sayfası:
- SPI11N60C3XKSA1.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SPI11N60C3XKSA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SPI11N60C3XKSA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO262-3-1 |
| Dizi: | CoolMOS™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 125W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Diğer isimler: | SP000680986 SPI11N60C3 SPI11N60C3BKSA1 SPI11N60C3IN SPI11N60C3IN-ND SPI11N60C3X SPI11N60C3X-ND SPI11N60C3XK |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SPI11N60C3XKSA1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SPI11N60C3XKSA1 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | soruşturma |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | soruşturma |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | soruşturma |
 |
IPB100N10S305ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | soruşturma |
 |
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | soruşturma |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | soruşturma |
|
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | soruşturma |
 |
STFU15NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP | soruşturma |
 |
NVMFS5C430NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL | soruşturma |
 |
IRFR3704TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | soruşturma |
|
IRFC4768ED | Infineon Technologies | MOSFET N-CH WAFER | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog