satın almak BYCHPS ile SQD50N06-09L_GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-252, (D-Pak) |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 9 mOhm @ 20A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 136W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler: | SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3-ND SQD50N06-09L_GE3TR |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
Üretici parti numarası: | SQD50N06-09L_GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3065pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 50A |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |