SQJ990EP-T1_GE3
Parça Numarası:
SQJ990EP-T1_GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
14696 Pieces
Veri Sayfası:
SQJ990EP-T1_GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SQJ990EP-T1_GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SQJ990EP-T1_GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SQJ990EP-T1_GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Dizi:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V
Güç - Max:48W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® SO-8 Dual
Diğer isimler:SQJ990EP-T1_GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:13 Weeks
Üretici parti numarası:SQJ990EP-T1_GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:30nC @ 10V, 15nC @ 10V
FET Tipi:2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği:Standard
Genişletilmiş Açıklama:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):100V
Açıklama:MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):34A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar