TPN5900CNH,L1Q
TPN5900CNH,L1Q
Parça Numarası:
TPN5900CNH,L1Q
Üretici firma:
Toshiba Semiconductor
Açıklama:
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
16531 Pieces
Veri Sayfası:
TPN5900CNH,L1Q.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür TPN5900CNH,L1Q, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin TPN5900CNH,L1Q e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile TPN5900CNH,L1Q
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):4V @ 200µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dizi:U-MOSVIII-H
Id, VGS @ rds On (Max):59 mOhm @ 4.5A, 10V
Güç Tüketimi (Max):700mW (Ta), 39W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-PowerVDFN
Diğer isimler:TPN5900CNH,L1Q(M
TPN5900CNHL1QTR
Çalışma sıcaklığı:150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:12 Weeks
Üretici parti numarası:TPN5900CNH,L1Q
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:7nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 150V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):150V
Açıklama:MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):9A (Ta)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar