satın almak BYCHPS ile ZXMN10A08E6TC
Garanti ile satın alın
ZXMN10A08E6TC
- Parça Numarası:
- ZXMN10A08E6TC
- Üretici firma:
- Diodes Incorporated
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16744 Pieces
- Veri Sayfası:
- ZXMN10A08E6TC.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür ZXMN10A08E6TC, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin ZXMN10A08E6TC e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SOT-26 |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.1W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | SOT-23-6 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Üretici parti numarası: | ZXMN10A08E6TC |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 405pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26 |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 1.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ZXMN10A08E6TC için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | soruşturma |
|
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | soruşturma |
 |
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | soruşturma |
 |
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | soruşturma |
 |
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | soruşturma |
|
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | soruşturma |
|
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | soruşturma |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | soruşturma |
|
ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | soruşturma |
|
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | soruşturma |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog