satın almak BYCHPS ile C3M0280090D
Garanti ile satın alın
C3M0280090D
- Parça Numarası:
- C3M0280090D
- Üretici firma:
- Cree
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 900V 11.5A
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16191 Pieces
- Veri Sayfası:
- C3M0280090D.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür C3M0280090D, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin C3M0280090D e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | +18V, -8V |
| teknoloji: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247-3 |
| Dizi: | C3M™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Güç Tüketimi (Max): | 54W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | C3M0280090D |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 15V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 900V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 900V 11.5A |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
C3M0280090D için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | soruşturma |
 |
DMP32D4S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 | soruşturma |
 |
C3M0280090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11A | soruşturma |
|
C3M0280090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11A | soruşturma |
 |
NDF10N60ZH | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP | soruşturma |
 |
PHD18NQ10T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | soruşturma |
 |
AO4413L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC | soruşturma |
 |
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 16A | soruşturma |
 |
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | soruşturma |
 |
NTB75N03L09G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog