C3M0280090J
C3M0280090J
Parça Numarası:
C3M0280090J
Üretici firma:
Cree
Açıklama:
MOSFET N-CH 900V 11A
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12316 Pieces
Veri Sayfası:
C3M0280090J.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür C3M0280090J, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin C3M0280090J e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile C3M0280090J
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.5V @ 1.2mA
Vgs (Maks.):+18V, -8V
teknoloji:SiCFET (Silicon Carbide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:D2PAK-7
Dizi:C3M™
Id, VGS @ rds On (Max):360 mOhm @ 7.5A, 15V
Güç Tüketimi (Max):50W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:8 Weeks
Üretici parti numarası:C3M0280090J
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 600V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:9.5nC @ 15V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):15V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):900V
Açıklama:MOSFET N-CH 900V 11A
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar