FQD12N20LTM
FQD12N20LTM
Parça Numarası:
FQD12N20LTM
Üretici firma:
Fairchild/ON Semiconductor
Açıklama:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
15399 Pieces
Veri Sayfası:
1.FQD12N20LTM.pdf2.FQD12N20LTM.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür FQD12N20LTM, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin FQD12N20LTM e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile FQD12N20LTM
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:D-Pak
Dizi:QFET®
Id, VGS @ rds On (Max):280 mOhm @ 4.5A, 10V
Güç Tüketimi (Max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Diğer isimler:FQD12N20LTM-ND
FQD12N20LTMTR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:6 Weeks
Üretici parti numarası:FQD12N20LTM
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:21nC @ 5V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):200V
Açıklama:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar