satın almak BYCHPS ile FQD12N20TM_F080
Garanti ile satın alın
FQD12N20TM_F080
- Parça Numarası:
- FQD12N20TM_F080
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 15426 Pieces
- Veri Sayfası:
- 1.FQD12N20TM_F080.pdf2.FQD12N20TM_F080.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür FQD12N20TM_F080, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin FQD12N20TM_F080 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D-Pak |
| Dizi: | QFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | FQD12N20TM_F080 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 200V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FQD12N20TM_F080 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD12N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | soruşturma |
|
FQD12N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | soruşturma |
|
FQD12P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | soruşturma |
|
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | soruşturma |
|
FQD12P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | soruşturma |
 |
SI4628DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC | soruşturma |
|
FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | soruşturma |
|
FQD12N20LTM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | soruşturma |
|
FQD12P10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog