satın almak BYCHPS ile IPD65R250E6XTMA1
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3.5V @ 400µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PG-TO252-3 |
Dizi: | CoolMOS™ E6 |
Id, VGS @ rds On (Max): | 250 mOhm @ 4.4A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 208W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Diğer isimler: | IPD65R250E6XTMA1-ND IPD65R250E6XTMA1TR SP000898656 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
Üretici parti numarası: | IPD65R250E6XTMA1 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 1000V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 650V 16.1A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
Açıklama: | MOSFET N-CH TO252-3 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 16.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |