IPD65R380E6BTMA1
IPD65R380E6BTMA1
Parça Numarası:
IPD65R380E6BTMA1
Üretici firma:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Açıklama:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
15793 Pieces
Veri Sayfası:
IPD65R380E6BTMA1.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IPD65R380E6BTMA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IPD65R380E6BTMA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile IPD65R380E6BTMA1
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.5V @ 320µA
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PG-TO252-3
Dizi:CoolMOS™
Id, VGS @ rds On (Max):380 mOhm @ 3.2A, 10V
Güç Tüketimi (Max):83W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Diğer isimler:IPD65R380E6
IPD65R380E6-ND
IPD65R380E6BTMA1TR
IPD65R380E6TR-ND
SP000795278
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:IPD65R380E6BTMA1
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:39nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):650V
Açıklama:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):10.6A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar