satın almak BYCHPS ile IXFA130N10T2
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 1mA |
---|---|
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (IXFA) |
Dizi: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
Id, VGS @ rds On (Max): | 9.1 mOhm @ 65A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 360W (Tc) |
paketleme: | Tube |
Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
Üretici parti numarası: | IXFA130N10T2 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 130A (Tc) |
Email: | [email protected] |