satın almak BYCHPS ile IXFA12N50P
Garanti ile satın alın
IXFA12N50P
- Parça Numarası:
- IXFA12N50P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19375 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFA12N50P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFA12N50P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFA12N50P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (IXFA) |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 500 mOhm @ 6A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 200W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFA12N50P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1830pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 500V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFA12N50P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A TO252 | soruşturma |
 |
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | soruşturma |
|
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | soruşturma |
|
IXFA16N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA | soruşturma |
|
IXFA16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA | soruşturma |
 |
DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | soruşturma |
|
IXFA14N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 | soruşturma |
 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 10A SO8 | soruşturma |
|
IXFA14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK | soruşturma |
|
IXFA180N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | soruşturma |
 |
APT28F60S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | soruşturma |
|
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | soruşturma |
|
IXFA14N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA | soruşturma |
|
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | soruşturma |
|
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | soruşturma |
 |
IXFX80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 | soruşturma |
 |
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | soruşturma |
|
IXFA18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | soruşturma |
|
IXFA16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK | soruşturma |
|
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog