satın almak BYCHPS ile IXFH69N30P
Garanti ile satın alın
IXFH69N30P
- Parça Numarası:
- IXFH69N30P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12676 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFH69N30P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFH69N30P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFH69N30P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 4mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AD (IXFH) |
| Dizi: | PolarHT™ HiPerFET™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 49 mOhm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 500W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFH69N30P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4960pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 300V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 300V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 69A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFH69N30P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
PHD66NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 66A DPAK | soruşturma |
 |
IXFH6N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | soruşturma |
 |
IRFU3707ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK | soruşturma |
|
IXFH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD | soruşturma |
 |
FQD2P40TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK | soruşturma |
|
IXFH6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 | soruşturma |
|
IXFH6N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | soruşturma |
 |
TK14A65W5,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | soruşturma |
 |
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | soruşturma |
 |
IRLR8503TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK | soruşturma |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | soruşturma |
 |
SI7491DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8 | soruşturma |
|
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | soruşturma |
 |
GKI04076 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN | soruşturma |
|
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | soruşturma |
|
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers