satın almak BYCHPS ile IXFH6N120P
Garanti ile satın alın
IXFH6N120P
- Parça Numarası:
- IXFH6N120P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 19768 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXFH6N120P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXFH6N120P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXFH6N120P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 5V @ 1mA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247AD (IXFH) |
| Dizi: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 2.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 250W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFH6N120P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2830pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 92nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V (1.2kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFH6N120P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO247 | soruşturma |
|
IXFH60N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 | soruşturma |
 |
IXKR25N80C | IXYS | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | soruşturma |
|
IXFH60N25Q | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH6N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO247 | soruşturma |
|
IXFH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD | soruşturma |
 |
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH6N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD | soruşturma |
|
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | soruşturma |
|
IXFH60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO247 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog