satın almak BYCHPS ile IXTA02N250HV
Garanti ile satın alın
IXTA02N250HV
- Parça Numarası:
- IXTA02N250HV
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 18592 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTA02N250HV.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTA02N250HV, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTA02N250HV e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263AB |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 450 Ohm @ 50mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 83W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTA02N250HV |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 116pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 7.4nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 2500V (2.5kV) 200mA (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263AB |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 2500V (2.5kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTA02N250HV için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | soruşturma |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | soruşturma |
|
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | soruşturma |
 |
IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | soruşturma |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | soruşturma |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | soruşturma |
 |
TN5325N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 | soruşturma |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | soruşturma |
 |
FQH44N10_F133 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 48A TO-247 | soruşturma |
 |
IRF6617TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | soruşturma |
 |
VQ1004P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | soruşturma |
 |
FDN337N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | soruşturma |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog