satın almak BYCHPS ile IXTA08N120P
Garanti ile satın alın
IXTA08N120P
- Parça Numarası:
- IXTA08N120P
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 16550 Pieces
- Veri Sayfası:
- IXTA08N120P.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür IXTA08N120P, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin IXTA08N120P e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (IXTA) |
| Dizi: | Polar™ |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 25 Ohm @ 500mA, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 50W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 8 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXTA08N120P |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 333pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 1200V (1.2kV) 800mA (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V (1.2kV) |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXTA08N120P için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
STP23NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A TO-220 | soruşturma |
 |
IXTP2R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 | soruşturma |
 |
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | soruşturma |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | soruşturma |
 |
IXFH16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A TO-247 | soruşturma |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | soruşturma |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | soruşturma |
 |
NTB22N06LT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 | soruşturma |
|
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | soruşturma |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | soruşturma |
|
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | soruşturma |
 |
TPCA8102(TE12L,Q,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV | soruşturma |
 |
IXTH76P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 76A TO-247 | soruşturma |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | soruşturma |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog