satın almak BYCHPS ile NE4210S01-T1B
Garanti ile satın alın
NE4210S01-T1B
- Parça Numarası:
- NE4210S01-T1B
- Üretici firma:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Açıklama:
- HJ-FET 13DB S01
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12993 Pieces
- Veri Sayfası:
- NE4210S01-T1B.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür NE4210S01-T1B, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin NE4210S01-T1B e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - Deney: | 2V |
|---|---|
| Gerilim - Anma: | 4V |
| transistör Türü: | HFET |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | SMD |
| Dizi: | - |
| Güç çıkışı: | - |
| paketleme: | Tape & Box (TB) |
| Paket / Kutu: | 4-SMD |
| Sesli figür: | 0.5dB |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | NE4210S01-T1B |
| Kazanç: | 13dB |
| Sıklık: | 12GHz |
| Genişletilmiş Açıklama: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| Açıklama: | HJ-FET 13DB S01 |
| Güncel Beğeni: | 15mA |
| Güncel - Deney: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
NE4210S01-T1B için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | soruşturma |
 |
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | soruşturma |
 |
MAGX-0110087 | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ | soruşturma |
 |
MRF9080LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ NI-780 | soruşturma |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | soruşturma |
 |
BLA8G1011L-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | soruşturma |
 |
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | soruşturma |
 |
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | soruşturma |
 |
MRF5S4125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 | soruşturma |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | soruşturma |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | soruşturma |
 |
BF256A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog