satın almak BYCHPS ile RJM0603JSC-00#12
Garanti ile satın alın
RJM0603JSC-00#12
- Parça Numarası:
- RJM0603JSC-00#12
- Üretici firma:
- Renesas Electronics America
- Açıklama:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 12972 Pieces
- Veri Sayfası:
- RJM0603JSC-00#12.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür RJM0603JSC-00#12, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin RJM0603JSC-00#12 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 20-HSOP |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101 |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Güç - Max: | 54W |
| paketleme: | Tray |
| Paket / Kutu: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Çalışma sıcaklığı: | 175°C |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | RJM0603JSC-00#12 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| FET Tipi: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Genişletilmiş Açıklama: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
| Açıklama: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A |
| Email: | [email protected] |
RJM0603JSC-00#12 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | soruşturma |
 |
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | soruşturma |
 |
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 | soruşturma |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | soruşturma |
 |
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | soruşturma |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | soruşturma |
 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | soruşturma |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | soruşturma |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | soruşturma |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | soruşturma |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | soruşturma |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers