satın almak BYCHPS ile SI5415AEDU-T1-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±8V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® ChipFet Single |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
Güç Tüketimi (Max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Diğer isimler: | SI5415AEDU-T1-GE3TR |
Çalışma sıcaklığı: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 24 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI5415AEDU-T1-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4300pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 120nC @ 8V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 20V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 1.8V, 4.5V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 25A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |