SI5419DU-T1-GE3
SI5419DU-T1-GE3
Parça Numarası:
SI5419DU-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
16819 Pieces
Veri Sayfası:
SI5419DU-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI5419DU-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI5419DU-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI5419DU-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):20 mOhm @ 6.6A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-PowerVDFN
Diğer isimler:SI5419DU-T1-GE3TR
SI5419DUT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:24 Weeks
Üretici parti numarası:SI5419DU-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:45nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Açıklama:MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar