SI7309DN-T1-GE3
SI7309DN-T1-GE3
Parça Numarası:
SI7309DN-T1-GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
15534 Pieces
Veri Sayfası:
SI7309DN-T1-GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SI7309DN-T1-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SI7309DN-T1-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SI7309DN-T1-GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® 1212-8
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):115 mOhm @ 3.9A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® 1212-8
Diğer isimler:SI7309DN-T1-GE3-ND
SI7309DN-T1-GE3TR
SI7309DNT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:15 Weeks
Üretici parti numarası:SI7309DN-T1-GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:22nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):60V
Açıklama:MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):8A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar