satın almak BYCHPS ile SI9435BDY-T1-E3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 42 mOhm @ 5.7A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 1.3W (Ta) |
paketleme: | Tape & Reel (TR) |
Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Diğer isimler: | SI9435BDY-T1-E3TR SI9435BDYT1E3 |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
Üretici parti numarası: | SI9435BDY-T1-E3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
FET Tipi: | P-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 30V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Açıklama: | MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |