satın almak BYCHPS ile SIDC30D120E6
Garanti ile satın alın
SIDC30D120E6
- Parça Numarası:
- SIDC30D120E6
- Üretici firma:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Açıklama:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşun / RoHS uyumlu değil
- Mevcut Miktarı:
- 14003 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIDC30D120E6.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIDC30D120E6, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIDC30D120E6 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Gerilim - İleri (Vf) (Max) @ Eğer: | 1.9V @ 35A |
|---|---|
| Gerilim - DC Ters (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Sawn on foil |
| hız: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Dizi: | - |
| paketleme: | Bulk |
| Paket / Kutu: | Die |
| Diğer isimler: | SP000011946 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı: | -55°C ~ 150°C |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | SIDC30D120E6 |
| Genişletilmiş Açıklama: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 35A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| diyodu, tip: | Standard |
| Açıklama: | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER |
| Güncel - Kaçak @ VR Ters: | 27µA @ 1200V |
| Güncel - Ortalama Rektifiye (Io): | 35A (DC) |
| Vr, F @ Kapasitans: | - |
| Email: | [email protected] |
SIDC30D120E6 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
F1892D1000 | Crydom Co. | DIODE MODULE 1KV 90A | soruşturma |
 |
SIDC30D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | soruşturma |
|
SIDC30D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | soruşturma |
 |
1N5819HW-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 | soruşturma |
 |
CDLL6761 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB | soruşturma |
 |
MA2C85600E | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34 | soruşturma |
|
SIDC30D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER | soruşturma |
|
SIDC38D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER | soruşturma |
 |
1N4934G-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | soruşturma |
|
SIDC32D170H | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER | soruşturma |
 |
VS-40EPS12PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog