satın almak BYCHPS ile SIHB22N60AE-GE3
Garanti ile satın alın
Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Maks.): | ±30V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (D²Pak) |
Dizi: | E |
Id, VGS @ rds On (Max): | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 179W (Tc) |
Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
Üretici parti numarası: | SIHB22N60AE-GE3 |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1451pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
Açıklama: | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |