satın almak BYCHPS ile SIHB22N60E-GE3
Garanti ile satın alın
SIHB22N60E-GE3
- Parça Numarası:
- SIHB22N60E-GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13065 Pieces
- Veri Sayfası:
- SIHB22N60E-GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SIHB22N60E-GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SIHB22N60E-GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±30V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D2PAK |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 227W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | SIHB22N60EGE3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 19 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SIHB22N60E-GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 600V |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SIHB22N60E-GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | soruşturma |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 | soruşturma |
|
SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | soruşturma |
|
SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog