SQ2337ES-T1_GE3
Parça Numarası:
SQ2337ES-T1_GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
16621 Pieces
Veri Sayfası:
SQ2337ES-T1_GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SQ2337ES-T1_GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SQ2337ES-T1_GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SQ2337ES-T1_GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SOT-23-3 (TO-236)
Dizi:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):290 mOhm @ 1A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):3W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diğer isimler:SQ2337ES-T1_GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:18 Weeks
Üretici parti numarası:SQ2337ES-T1_GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:18nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:P-Channel 80V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):6V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):80V
Açıklama:MOSFET P-CHAN 80V SOT23
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):2.2A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar