SQM120N04-1M9_GE3
SQM120N04-1M9_GE3
Parça Numarası:
SQM120N04-1M9_GE3
Üretici firma:
Vishay / Siliconix
Açıklama:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
18090 Pieces
Veri Sayfası:
SQM120N04-1M9_GE3.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SQM120N04-1M9_GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SQM120N04-1M9_GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SQM120N04-1M9_GE3
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:TO-263 (D2Pak)
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):1.9 mOhm @ 30A, 10V
Güç Tüketimi (Max):300W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diğer isimler:SQM120N04-1M9-GE3
SQM120N04-1M9-GE3-ND
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 175°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:18 Weeks
Üretici parti numarası:SQM120N04-1M9_GE3
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:8790pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:270nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):40V
Açıklama:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar