satın almak BYCHPS ile SQM120P06-07L_GE3
Garanti ile satın alın
SQM120P06-07L_GE3
- Parça Numarası:
- SQM120P06-07L_GE3
- Üretici firma:
- Vishay / Siliconix
- Açıklama:
- MOSFET P-CH 60V 120A TO263
- Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Mevcut Miktarı:
- 13912 Pieces
- Veri Sayfası:
- SQM120P06-07L_GE3.pdf
Giriş
BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SQM120P06-07L_GE3, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SQM120P06-07L_GE3 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Özellikler
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-263 (D2Pak) |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 6.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 375W (Tc) |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | SQM120P06-07L_GE3DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 18 Weeks |
| Üretici parti numarası: | SQM120P06-07L_GE3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14280pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Genişletilmiş Açıklama: | P-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 60V |
| Açıklama: | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SQM120P06-07L_GE3 için ilgili parçalar
| görüntü | Parça Numarası | Üreticiler | Açıklama | Görünüm |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | soruşturma |
 |
SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | soruşturma |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | soruşturma |
|
SQM120N04-1M7L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | soruşturma |
|
IRFR120TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | soruşturma |
|
SQM120P04-04L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | soruşturma |
|
SQM120N04-1M7_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | soruşturma |
 |
BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | soruşturma |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | soruşturma |
 |
IXTA1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | soruşturma |
|
SQM120N03-1M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 120A TO-263 | soruşturma |
|
SQM120N04-1M9_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | soruşturma |
Latest Haberleri
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog