SPP03N60C3HKSA1
SPP03N60C3HKSA1
Parça Numarası:
SPP03N60C3HKSA1
Üretici firma:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Açıklama:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
12867 Pieces
Veri Sayfası:
SPP03N60C3HKSA1.pdf

Giriş

BYCHIPS, stoklama distribütörüdür SPP03N60C3HKSA1, biz anında nakliye için stokları var ve aynı zamanda uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize satın alma planınızı gönderin SPP03N60C3HKSA1 e-posta ile, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
satın almak BYCHPS ile SPP03N60C3HKSA1
Garanti ile satın alın

Özellikler

Id @ Vgs (th) (Max):3.9V @ 135µA
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PG-TO220-3-1
Dizi:CoolMOS™
Id, VGS @ rds On (Max):1.4 Ohm @ 2A, 10V
Güç Tüketimi (Max):38W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-220-3
Diğer isimler:SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Through Hole
Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici parti numarası:SPP03N60C3HKSA1
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:17nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Genişletilmiş Açıklama:N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):650V
Açıklama:MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):3.2A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar